宁波领开半导体技术有限公司凭借其自主研发的 ATopFlash©存储架构，在2026年的 IC风云榜上角逐“年度技术突破奖”。 这一创新技术旨在解决当前 NOR Flash技术面临的瓶颈，尤其是在 AI浪潮下，对端侧存储芯片提出的高容量与高读取速度的需求。 领开半导体以底层架构创新应对技术挑战，展现出中国半导体企业的研发与创新活力。
ATopFlash©：技术革新的核心
ATopFlash©是一项独立于工艺的非挥发性存储底层架构发明，其核心在于 量子隧穿机制，该机制正是2025年诺贝尔物理学奖获奖成果的核心内容。 领开半导体通过这项技术，在完全兼容现有 NOR Flash产品的同时，打破了工艺限制，实现了高可靠性、高密度与低成本的完美结合。 ATopFlash©采用“双轨”解决方案，在外挂式领域，创新整合 LPDDR-NOR封装与高速 IO器件技术，突破了传统外挂 NOR Flash在性能上的瓶颈。在嵌入式领域，攻克了28nm以下工艺瓶颈，提供传统 e-Flash完整解决方案。目前，ATopFlash©已完成版权登记，并已获得17项中国发明专利授权，另有4项发明专利正在申请中。
ATopFlash© 技术优势：
1. 单元更小：ATopFlash©小于1T1b，省去了不利于微缩的高压 NMOS选择管。 2. 光罩层数少：节省了一层 common sourceline所需的金属光刻层。 3. 工艺简化：减少了选择管 NMOS形成所需的光刻层及工艺步骤，工艺更统一简洁。 4. 读取电流高：读取电流提升>50%。 5. 可靠性提升：彻底避免了编程操作时潜在的 SG漏电/可靠性问题。此外，ATopFlash©产品支持≥10万次擦写寿命与长达20年的数据保存能力，具备低功耗、接口兼容性好等优势，广泛适用于工业、车载及各类嵌入式系统。
ATopFlash©面向两大关键市场：一是规模达300亿元的独立式 NOR Flash存量市场，二是规模约25亿元的嵌入式 Flash IP增量市场。该技术完全兼容现有逻辑芯片工艺，可助力合作伙伴在40纳米、28纳米、22纳米等节点实现 SoC/MCU量产，并为未来延伸至14/10/7/5纳米 FinFET工艺奠定基础。 领开半导体指出，业界认为 MRAM和 RRAM等新兴存储器在特定场景下有望替代 NOR Flash，但 ATopFlash©在技术成熟性和成本面前，提供了新的选择。领开半导体今年5月完成了首颗55纳米芯片的验证，并计划于2026~2027年实现40纳米全线产品的设计和生产。
市场前景与行业影响
ATopFlash©技术的突破，为广阔的嵌入式市场提供了远超传统 NOR Flash的兼具高性能和极佳成本效益的通用代码存储解决方案。 在 AI时代，端侧存储芯片的需求日益增长，而 ATopFlash©的“双轨”解决方案将有力满足这一需求，推动用户端 AI应用的真正落地。 在全球半导体竞争日趋激烈的今天，领开半导体以底层架构创新应对技术挑战，在构建起自身的“技术护城河”的同时，为中国存储芯片的自主发展注入了强劲动能。 领开半导体在 NOR Flash领域的技术突破，是否会引领存储芯片行业的变革？ 欢迎在评论区留下您的看法！